【资料图】

1、Vgs是栅极相对于源极的电压。

2、与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。

3、当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是：|VGS|>|VTP (PMOS)|，值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。

4、PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。

5、PMOS集成电路采用-24V电压供电。

6、MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。

7、扩展资料PMOS工作原理——因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层。

8、当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。

9、同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

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